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IRF3709ZSPBF
0.791
IRF3709ZSPBF 数据手册 (13 页)
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IRF3709ZSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
79 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0063 Ω
极性
N-CH
功耗
79 mW
阈值电压
2.25 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
87A
上升时间
41 ns
输入电容值(Ciss)
2130pF @15V(Vds)
下降时间
4.7 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
79000 mW

IRF3709ZSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF3709ZSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF3709 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 90A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3709STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3709SPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3709PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 30V 87A
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3709SPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
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