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IRF3710ZSTRRPBF
3.236
IRF3710ZSTRRPBF 数据手册 (12 页)
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IRF3710ZSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
160 W
极性
N-CH
功耗
160W (Tc)
零部件系列
IRF3710ZS
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
59A
上升时间
77 ns
输入电容值(Ciss)
2900pF @25V(Vds)
下降时间
56 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)

IRF3710ZSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF3710ZSTRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF3710 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3710PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3710SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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