IRF3710 数据手册

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3710ZPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB 新

INFINEON  IRF3710ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V

N沟道 100V 59A

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3710PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

INFINEON  IRF3710SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

INFINEON  IRF3710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V