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IRF3805STRLPBF
3.862
IRF3805STRLPBF 数据手册 (12 页)
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IRF3805STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0026 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
4 V
输入电容
7960 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
210A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
7960pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
87 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IRF3805STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF3805STRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF3805 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
汽车MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3805PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 55 V, 0.0026 ohm, 10 V, 4 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3805STRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 55 V, 0.0026 ohm, 10 V, 4 V 新
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3805S-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 55 V, 2.6 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 55 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,75A,3.3mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
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