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MJE200STU
0.17
MJE200STU 数据手册 (4 页)
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MJE200STU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
65 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
功耗
15 W
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
45 @2A, 1V
额定功率(Max)
15 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15000 mW

MJE200STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

MJE200STU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.14 MByte

MJE200 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Central Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
TI(德州仪器)
Motorola(摩托罗拉)
Samsung(三星)
ST Microelectronics(意法半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Freescale(飞思卡尔)
Inchange Semiconductor
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