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IRF3808PBF
0.936
IRF3808PBF 数据手册 (9 页)
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IRF3808PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
140 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
7 mΩ
极性
N-Channel
功耗
330 W
零部件系列
IRF3808
输入电容
5310pF @25V
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
连续漏极电流(Ids)
140 A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
330 W
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
330000 mW

IRF3808PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF3808PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte

IRF3808 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 0.007ohm ,ID = 140A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,75V,140A,7mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF3808STRRPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 106A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3808SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
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