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IRF3808STRRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

场效应管(MOSFET) IRF3808STRRPBF D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF3808STRRPBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

典型应用电路图在1 页

IRF3808STRRPBF 数据手册 (12 页)

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IRF3808STRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

200 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7 mΩ

极性

N-CH

功耗

200 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75 V

连续漏极电流(Ids)

106A

上升时间

140 ns

输入电容值(Ciss)

5310pF @25V(Vds)

下降时间

120 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

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IRF3808STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF3808STRRPBF 符合标准

IRF3808STRRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.25 MByte

IRF3808STRRPBF 产品设计参考手册

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270 页 / 11.59 MByte

IRF3808STRRPBF 其他数据使用手册

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30 页 / 0.64 MByte

IRF3808STRRPBF 产品设计图

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