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器件3D模型￥ 7.663
IRF40H210 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
PQFN-8
描述:
IRF40H210 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRF40H210数据手册
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IRF40H210
7
www.irf.com © 2015 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback April 1, 2015
Fig 21. Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig 20. Typical Stored Charge vs. dif/dt Fig 19. Typical Recovery Current vs. dif/dt
Fig 18. Typical Recovery Current vs. dif/dt
Fig 17. Threshold Voltage vs. Temperature
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
G
S
(
t
h
)
,
G
a
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
ID = 150µA
ID = 250µA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
0 200 400 600 800 1000
di
F
/dt (A/µs)
0
2
4
6
8
10
I
R
R
M
(
A
)
I
F
= 60A
V
R
= 34V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0 200 400 600 800 1000
di
F
/dt (A/µs)
0
2
4
6
8
10
I
R
R
M
(
A
)
I
F
= 100A
V
R
= 34V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0 200 400 600 800 1000
di
F
/dt (A/µs)
0
50
100
150
200
250
Q
R
R
(
n
C
)
I
F
= 60A
V
R
= 34V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0 200 400 600 800 1000
di
F
/dt (A/µs)
0
50
100
150
200
Q
R
R
(
n
C
)
I
F
= 100A
V
R
= 34V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
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