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IRF510A
7.893
IRF510A 数据手册 (7 页)
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IRF510A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
33 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
40.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.60 A
上升时间
14 ns
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF510A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

IRF510A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.27 MByte

IRF510 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
5.6A , 100V , 0.540 Ohm的N通道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 5.5 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,5.6A,540mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF510PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
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