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IRF510STRLPBF
0.765
IRF510STRLPBF 数据手册 (8 页)
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IRF510STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
540 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.7 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
5.60 A
输入电容值(Ciss)
180pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.7 W
耗散功率(Max)
43W (Tc)

IRF510STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
最小包装数量
2000

IRF510STRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.17 MByte

IRF510 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
5.6A , 100V , 0.540 Ohm的N通道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 5.5 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,100V,5.6A,540mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF510PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V
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