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IRF530 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF530 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

IRF530 数据手册 (8 页)

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IRF530 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

14.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

60W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

14.0 A

上升时间

25.0 ns

输入电容值(Ciss)

458pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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IRF530 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF530 符合标准

IRF530 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.29 MByte

IRF530 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.36 MByte

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