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IRF530NSPBF
0.302
IRF530NSPBF 数据手册 (11 页)
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IRF530NSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
3.8 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.09 Ω
极性
N-Channel
功耗
79 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
17A
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
920pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 70W (Tc)

IRF530NSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF530NSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF530 数据手册

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功率MOSFET Power MOSFET
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
Harris
N沟道 100V 14A
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