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IRF5305LPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

INFINEON IRF5305LPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 31A, TO-262

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF5305LPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF5305LPBF 数据手册 (11 页)

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IRF5305LPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

60 mΩ

极性

P-CH

功耗

3.8 W

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

31A

上升时间

66 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

下降时间

63 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

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IRF5305LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF5305LPBF 符合标准

IRF5305LPBF 概述

IRF5305LPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

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