输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
●表面贴装型 P 通道 55 V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.08 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5305STRLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF5305PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
