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IRF530PBF
0.897
IRF530PBF 数据手册 (9 页)
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IRF530PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
14.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
88 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
160 mΩ
极性
N-Channel
功耗
88 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
34 ns
输入电容值(Ciss)
670pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
88 W
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
88 W

IRF530PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF530PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.26 MByte
VISHAY(威世)
13 页 / 0.22 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.14 MByte

IRF530 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 14A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
Harris
N沟道 100V 14A
Motorola(摩托罗拉)
Infineon(英飞凌)
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