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MMBT2369ALT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBT2369ALT1G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

MMBT2369ALT1G 数据手册 (7 页)

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MMBT2369ALT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

15.0 V

额定电流

200 mA

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

225 mW

击穿电压(集电极-发射极)

15 V

集电极最大允许电流

0.2A

最小电流放大倍数

20 @100mA, 1V

额定功率(Max)

225 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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MMBT2369ALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBT2369ALT1G 符合标准

MMBT2369ALT1G 海关信息

MMBT2369ALT1G 概述

MMBT2369ALT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.22 MByte

MMBT2369ALT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

MMBT2369ALT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.08 MByte

MMBT2369ALT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.31 MByte

MMBT2369ALT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

MMBT2369ALT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

开关晶体管NPN硅 Switching Transistors NPN Silicon

Motorola（摩托罗拉）

Leshan Radio（乐山无线电）

DB Lectro

National Semiconductor（美国国家半导体）

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