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IRF540A
0.262
IRF540A 数据手册 (7 页)
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IRF540A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
52.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
107 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
25.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
28.0 A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
1710pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
107 W
下降时间
56 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
107W (Tc)

IRF540A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Rail
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF540A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.25 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

IRF540 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 28A
Vishay Intertechnology
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
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