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器件3D模型￥ 0
IRF5803D2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
SO-8
Pictures:
3D模型
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IRF5803D2PBF数据手册
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IRF5803D2PbF
www.irf.com 5
Power Mosfet Characteristics
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
V
GS
Pulse Width ≤ 1 µs
Duty Factor ≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
9
0%
1
0%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
1
10
100
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P x Z + T
1 2
J DM thJA A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal Response(Z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25 50 75 100 125 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T , Case Temperature ( C)
-I , Drain Current (A)
°
C
D
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