器件3D模型

￥ 0.112

IRF5803D2TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF5803D2TRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

IRF5803D2TRPBF 数据手册 (11 页)

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IRF5803D2TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

漏源极电阻

0.112 Ω

极性

P-CH

功耗

2 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

3.4A

上升时间

550 ns

输入电容值(Ciss)

1110pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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IRF5803D2TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF5803D2TRPBF 符合标准

IRF5803D2TRPBF 概述

IRF5803D2TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.13 MByte

IRF5803D2TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRF5803D2TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRF5803D2TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

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