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STL120N4F6AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-5x6-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL120N4F6AG 数据手册 (15 页)

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STL120N4F6AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerFLAT-5x6-8

极性

N-CH

功耗

115 W

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

3700pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

STL120N4F6AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

高度

0.95 mm

工作温度

175℃ (TJ)

STL120N4F6AG 符合标准

STL120N4F6AG 数据手册

STL120N4F6AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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