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IRF5803TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

INFINEON IRF5803TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -40 V, 112 mohm, 10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF5803TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF5803TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRF5803TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

额定功率

1.3 W

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.112 Ω

极性

P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

3 V

输入电容

1110 pF

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

3.4A

上升时间

550 ns

输入电容值(Ciss)

1110pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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IRF5803TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF5803TRPBF 符合标准

IRF5803TRPBF 概述

IRF5803TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.19 MByte

IRF5803TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF5803TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.02 MByte

IRF5803TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF5803TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF5803TRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

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