Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > IRF620B_FP001 Datasheet 文档
IRF620B_FP001
0
IRF620B_FP001 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF620B_FP001 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
800 mΩ
极性
N-Channel
功耗
47 W
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
上升时间
45 ns
输入电容值(Ciss)
390pF @25V(Vds)
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
47W (Tc)

IRF620B_FP001 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF620B_FP001 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.85 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

IRF620 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Harris
N沟道 200V 6A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 7A , 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6201PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 20 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 1.1 V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF620 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z