Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF620S Datasheet 文档
IRF620S
0
IRF620S 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF620S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
200 V
额定电流
5.20 A
极性
N-Channel
功耗
50.0 W
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
5.20 A
上升时间
22.0 ns

IRF620S 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.13 MByte
International Rectifier(国际整流器)
6 页 / 0.17 MByte

IRF620 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Harris
N沟道 200V 6A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 7A , 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6201PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 20 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 1.1 V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF620 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z