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IRF620SPBF
1.404
IRF620SPBF 数据手册 (10 页)
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IRF620SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
800 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
5.20 A
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
260pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

IRF620SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
800

IRF620SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
10 页 / 1.82 MByte
VISHAY(威世)
14 页 / 0.27 MByte

IRF620 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Harris
N沟道 200V 6A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 7A , 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6201PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 20 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 1.1 V
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