器件3D模型

￥ 1.028

IRF6201TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6201TRPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF6201TRPBF 数据手册 (8 页)

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IRF6201TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0019 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

27A

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

8555pF @16V(Vds)

下降时间

265 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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IRF6201TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6201TRPBF 符合标准

IRF6201TRPBF 概述