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IRF630 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF630 数据手册 (14 页)

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IRF630 数据手册 (14 页)

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IRF630 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-220-3

额定功率

75 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

75 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

75 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

75W (Tc)

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IRF630 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF630 符合标准

IRF630 概述