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IRF630FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO- 220 / FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF630FP 数据手册 (14 页)

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IRF630FP 数据手册 (14 页)

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IRF630FP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

30 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

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IRF630FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF630FP 符合标准

IRF630FP 概述

IRF630FP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.32 MByte

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