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IRF630MFP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-220

描述:

N沟道200V - 0.35W - 9A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF630MFP 数据手册 (14 页)

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IRF630MFP 数据手册 (14 页)

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IRF630MFP 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

540pF @25V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

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IRF630MFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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IRF630MFP 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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