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IRF630PBF
0.327
IRF630PBF 数据手册 (8 页)
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IRF630PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
额定功率
75 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
28 ns
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74000 mW

IRF630PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF630PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.62 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.14 MByte

IRF630 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  IRF630..  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
ON Semiconductor(安森美)
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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