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IRF640
2.619
IRF640 数据手册 (9 页)
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IRF640 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
180 mΩ
极性
N-Channel
功耗
125 W
输入电容
1.30 nF
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200V (min)
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
51 ns
下降时间
36 ns

IRF640 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
15.49 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF640 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.27 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.12 MByte
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