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IRF644B_FP001 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRF644B_FP001 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 14A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF644B_FP001 数据手册 (20 页)

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IRF644B_FP001 数据手册 (20 页)

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IRF644B_FP001 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

280 mΩ

极性

N-Channel

功耗

139 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

-30.0 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

14.0 A

输入电容值(Ciss)

1600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

139 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

139W (Tc)

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IRF644B_FP001 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Rail

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF644B_FP001 符合标准

IRF644B_FP001 海关信息

IRF644B_FP001 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

20 页 / 0.89 MByte

IRF644B_FP001 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.87 MByte

IRF644B_FP001 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.09 MByte

IRF644B_FP001 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.5 MByte

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