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IRF6643TRPBF
0.956
IRF6643TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF6643TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
7 Pin
封装
Direct-FET
额定功率
89 W
通道数
1 Channel
针脚数
7 Position
漏源极电阻
0.029 Ω
极性
N-Channel
功耗
89 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
6.2A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2340pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.8 W
下降时间
4.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

IRF6643TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.35 mm
宽度
5.05 mm
高度
0.7 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF6643TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 3.69 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRF6643 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6643TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 0.0029 ohm, 10 V, 4 V 新
Infineon(英飞凌)
MOSFET,InfineonD 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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