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IRF6645TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

DE-275

描述:

INFINEON IRF6645TR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6645TR1PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF6645TR1PBF 数据手册 (9 页)

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IRF6645TR1PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

DE-275

额定功率

42 W

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

N-CH

功耗

42 W

阈值电压

4.9 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

输入电容值(Ciss)

890pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

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IRF6645TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6645TR1PBF 符合标准

IRF6645TR1PBF 概述

IRF6645TR1PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.22 MByte

IRF6645TR1PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.26 MByte

IRF6645TR1PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 1.89 MByte

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International Rectifier（国际整流器）

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