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Datasheet 搜索 > 音频放大器 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > BA3121F-E2 Datasheet 文档
BA3121F-E2
器件3D模型
0.454
BA3121F-E2 数据手册 (15 页)
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BA3121F-E2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOP-8
额定功率
0.45 W
供电电流
9.00 mA
通道数
2 Channel
功耗
450 mW
共模抑制比
57 dB
转换速率
2.00 V/μs
增益
0.04 dB
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-30 ℃
耗散功率(Max)
450 mW
共模抑制比(Min)
41 dB
电源电压
4V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
4 V

BA3121F-E2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4.4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-30℃ ~ 85℃ (TA)

BA3121F-E2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
15 页 / 1.25 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 2.08 MByte

BA3121 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
地面隔离放大器 Ground isolation amplifier
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
18 V 450 mW 1.5 dB 表面贴装 接地 隔离 音频放大器 - SOP-8
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
18 V 900 mW 1.5 dB 接地 隔离 音频放大器 - SIP-8
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
地面隔离放大器 Ground Isolation Amplifier
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
地面隔离放大器 Ground Isolation Amplifier
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