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IRF6665TR1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF6665TR1 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRF6665TR1 数据手册 (10 页)

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IRF6665TR1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

Direct-FET

漏源极电阻

53.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.2W (Ta), 42W (Tc)

零部件系列

IRF6665

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

3.40 A

上升时间

2.8 ns

输入电容值(Ciss)

530pF @25V(Vds)

下降时间

4.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

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IRF6665TR1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6665TR1 符合标准

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