IRF6727MTRPBF

￥ 1.158

IRF6727MTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

INFINEON IRF6727MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.00122 ohm, 10 V, 1.8 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6727MTRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF6727MTRPBF 数据手册 (9 页)

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IRF6727MTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

7 Pin

封装

Direct-FET

额定功率

89 W

通道数

1 Channel

针脚数

7 Position

漏源极电阻

0.00122 Ω

极性

N-Channel

功耗

89 W

阈值电压

1.8 V

输入电容

6190 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

32A

上升时间

31 ns

输入电容值(Ciss)

6190pF @15V(Vds)

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

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IRF6727MTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6727MTRPBF 符合标准

IRF6727MTRPBF 海关信息

IRF6727MTRPBF 数据手册

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Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.25 MByte

IRF6727MTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF6727MTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 3.69 MByte

IRF6727MTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF6727MTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF6727 数据手册

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