IRF7103PBF

器件3D模型

￥ 0.302

IRF7103PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7103PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF7103PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF7103PBF 数据手册 (9 页)

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IRF7103PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

3 V

输入电容

290pF @25V

漏源极电压(Vds)

50 V

漏源击穿电压

50 V

连续漏极电流(Ids)

3A

上升时间

8 ns

热阻

62.5℃/W (RθJA)

输入电容值(Ciss)

290pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

查看数据手册 >

IRF7103PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF7103PBF 符合标准

IRF7103PBF 概述

IRF7103PBF 数据手册

IRF7103PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.29 MByte

IRF7103PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7103PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF7103PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7103PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF7103PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

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功率MOSFET （ VDSS = 50V ， RDS（ON） = 0.130ohm ，ID = 3.0A ） Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)

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