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IRF7103PBF
器件3D模型
0.289
IRF7103PBF 数据手册 (9 页)
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IRF7103PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
3.00 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.13 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7103
阈值电压
3 V
输入电容
290pF @25V
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50 V
连续漏极电流(Ids)
3.00 A
上升时间
45.0 ns
热阻
62.5℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

IRF7103PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7103PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.29 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7103 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 50V , RDS(ON) = 0.130ohm ,ID = 3.0A ) Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7103TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7103PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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