Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF7103TRPBF Datasheet 文档
IRF7103TRPBF
器件3D模型
0.238
IRF7103TRPBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7103TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N-CH
功耗
2 W
阈值电压
3 V
输入电容
290 pF
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50 V
连续漏极电流(Ids)
3A
上升时间
8 ns
热阻
50℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7103TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7103TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF7103 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 50V , RDS(ON) = 0.130ohm ,ID = 3.0A ) Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7103TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7103PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF7103 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z