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IRF710PBF
0.264
IRF710PBF 数据手册 (9 页)
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IRF710PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
额定功率
36 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.6 Ω
极性
N-Channel
功耗
36 W
阈值电压
4 V
输入电容
170pF @25V
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
热阻
3.5℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
170pF @25V(Vds)
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
36 W

IRF710PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF710PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.26 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.14 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.99 MByte

IRF710 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Intersil(英特矽尔)
2.0A , 400V , 3.600 Ohm的N通道功率MOSFET 2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
National Semiconductor(美国国家半导体)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7103TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7105TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7104TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.3 A, -20 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V
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