￥ 0.38

IRF710PBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道,400V,2A,3.6Ω@10V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF710PBF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF710PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

400 V

额定电流

2.00 A

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

20.0 W

漏源极电压(Vds)

400 V

漏源击穿电压

400 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

9.9 ns

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

36000 mW

查看数据手册 >

IRF710PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

查看数据手册 >

IRF710PBF 符合标准

IRF710PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

8 页 / 0.17 MByte

IRF710PBF 其他数据使用手册

International Rectifier（国际整流器）

6 页 / 0.16 MByte

IRF710 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF710 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF710 数据手册

Vishay Siliconix

IRF710 数据手册

Intersil（英特矽尔）

2.0A ， 400V ， 3.600 Ohm的N通道功率MOSFET 2.0A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF710 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRF710 数据手册

National Semiconductor（美国国家半导体）

IRF7103TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V

IRF7105TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF7105TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V

IRF7103TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7103TRPBF 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC

IRF7104TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRF7104TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.3 A, -20 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号