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IRF7303PBF
器件3D模型
0.239
IRF7303PBF 数据手册 (9 页)
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IRF7303PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1 V
输入电容
520pF @25V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
4.9A
上升时间
21 ns
热阻
62.5℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
520pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
7.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7303PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7303PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.22 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7303 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.050ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7303TRPBF.  场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7303PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.9 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7303PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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