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IRF7307TRPBF
器件3D模型
0.288
IRF7307TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7307TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
1.4 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.7A/4.7A
输入电容值(Ciss)
660pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7307TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7307TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRF7307 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
MOS全桥,20V/5.7A(-20V/-4.7A)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7307TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7307PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.3 A, 20 V, 50 mohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier(国际整流器)
IRF7307TRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
1个N沟道和1个P沟道 20V 4.3A 5.2A
International Rectifier(国际整流器)
1个N沟道和1个P沟道 20V 4.3A 5.2A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF7307QTRPBF SO-8
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