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IRF7309TR
器件3D模型
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IRF7309TR 数据手册 (11 页)
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IRF7309TR 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOIC
漏源极电阻
50 mΩ
漏源极电压(Vds)
30 V

IRF7309TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

IRF7309TR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 2.02 MByte

IRF7309 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7309TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7309PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7309TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOIC
International Rectifier(国际整流器)
1个N沟道和1个P沟道 30V 3A 4A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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