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IRF7509PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

µSOIC

描述:

INFINEON IRF7509PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7509PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRF7509PBF 数据手册 (8 页)

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IRF7509PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

µSOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

110 mΩ

极性

N+P

功耗

1.25 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.7A/2A

工作温度(Max)

150 ℃

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IRF7509PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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Infineon（英飞凌）

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