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IRF7309TRPBF
器件3D模型
0.296
IRF7309TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRF7309TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
1.4 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N+P
功耗
1.4 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
4A/3A
输入电容值(Ciss)
520pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.4 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.4 W

IRF7309TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7309TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRF7309 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7309TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7309PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7309TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N/P沟道 2W, 8-SOIC
International Rectifier(国际整流器)
1个N沟道和1个P沟道 30V 3A 4A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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