￥ 0.368

CSD17577Q3A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSONP-8

描述:

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD17577Q3A 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD17577Q3A 数据手册 (13 页)

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CSD17577Q3A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSONP-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

5.3 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.5 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

31 ns

输入电容值(Ciss)

2310pF @15V(Vds)

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 53W (Tc)

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CSD17577Q3A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.15 mm

宽度

3 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD17577Q3A 符合标准

CSD17577Q3A 概述

CSD17577Q3A 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.36 MByte

CSD17577Q3A 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.37 MByte

CSD17577Q3 数据手册

CSD17577Q3A 数据手册

TI（德州仪器）

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8W

CSD17577Q3AT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V

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