器件3D模型

￥ 0.615

IRF7313PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7313PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7313PBF 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

IRF7313PBF 数据手册 (7 页)

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IRF7313PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.029 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1 V

输入电容

650 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.5A

上升时间

8.9 ns

热阻

62.5℃/W (RθJA)

输入电容值(Ciss)

650pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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IRF7313PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRF7313PBF 符合标准

IRF7313PBF 概述