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IRF7313TRPBF
器件3D模型
0.325
IRF7313TRPBF 数据手册 (7 页)
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IRF7313TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
6.50 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.046 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7313
阈值电压
1 V
输入电容
650pF @25V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
6.50 A
上升时间
8.90 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7313TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7313TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.2 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.53 MByte

IRF7313 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7313TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7313PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7313PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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