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IRF7313QPBF
器件3D模型
1.15
IRF7313QPBF 数据手册 (7 页)
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IRF7313QPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
通道数
2 Channel
漏源极电阻
46 mΩ
极性
N-CH
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
6.5A
上升时间
8.9 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @25V(Vds)
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF7313QPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
材质
Silicon
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm

IRF7313QPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.23 MByte

IRF7313 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7313TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7313PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7313PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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